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HGTG20N60C3

HGTG20N60C3 is an Insulated Gate Bipolar Transistor used in electronic devices

在庫：5,310

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概要 HGTG20N60C3

主な特長

  • 45A, 600V, TC = 25°C
  • 600V Switching SOA Capability
  • Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at TJ = 150°C
  • Short Circuit Rating
  • Low Conduction Loss
  • Related Literature
  • - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors Technology Si
Package / Case TO-247-3 Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Continuous Collector Current at 25 C 45 A
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series HGTG20N60 Brand onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current Ic Max 45 A Height 20.82 mm
Length 15.87 mm Product Type IGBT Transistors
Subcategory IGBTs Width 4.82 mm
Unit Weight 1.340411 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、または DHL.SG、または YTC。

    部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。

  • 支払い

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