HN1B04FU-GR,LF

Name: HN1B04FU-GR,LF
Brand: Toshiba
Rating: 4.5 (10 reviews)

Transistor for amplifying small signals at low frequencies

在庫：8,279

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Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6

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Switching application

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer	Toshiba	Product Category	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-363-6	Transistor Polarity	NPN, PNP
Configuration	Dual	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Collector- Base Voltage VCBO	60 V, 50 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	100 mV	Maximum DC Collector Current	150 mA
Pd - Power Dissipation	200 mW	Gain Bandwidth Product fT	150 MHz, 120 MHz
Minimum Operating Temperature	-	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Qualification	AEC-Q101	Series	HN1B04
Brand	Toshiba	DC Collector/Base Gain hfe Min	120
DC Current Gain hFE Max	400	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.000265 oz

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