IPD031N06L3G

Name: IPD031N06L3G
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

Power MOSFET with 60V voltage capacity and 100A current handling

在庫：7,520

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部品番号 : IPD031N06L3G
パッケージ/ケース : TO-252-3
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : IPD031N06L3G データシート (PDF)

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概要 IPD031N06L3G

Meet the IPD031N06L3G Power Field-Effect Transistor, a high-performance device perfect for a wide range of electronic applications. Boasting a current rating of 100A and a voltage rating of 60V, this N-Channel transistor delivers reliable power management capabilities. Its low on-resistance of 0.0031ohm ensures efficient power delivery, making it ideal for demanding circuit designs. Housed in a TO-252AA package with a Green Plastic exterior, this transistor offers durability and environmental sustainability in one sleek package. With its 3 PIN configuration and Silicon Metal-oxide Semiconductor FET design, the IPD031N06L3G is a versatile component that is easy to install and use

主な特長

Fast switching MOSFET for SMPS

Optimized technology for DC/DC converters

Qualified according to JEDEC1) for target applications

N-channel, logic level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Avalanche rated

Pb-free plating; RoHS compliant

Halogen-free according to IEC61249-2-21 *

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS™	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 93µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	79 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13000 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)	167W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TO252-3
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Base Product Number	IPD031

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