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IPG20N06S4L26ATMA1

0a continuous drain current and 60v source voltage

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概要 IPG20N06S4L26ATMA1

The IPG20N06S4L26ATMA1 is a high-performance dual N-channel MOSFET transistor designed for automotive applications. With a drain source voltage of 60V and a continuous drain current of 20A, this transistor offers robust power handling capabilities. Its low on-resistance of 0.021ohm and threshold voltage of 1.7V ensure efficient power management and reliable operation. Housed in a TDSON-8 case style with 8 pins, this transistor is easy to integrate into automotive systems. With a maximum operating temperature of 175°C, it can withstand harsh automotive environments. This product is AEC-Q101 qualified, guaranteeing its performance and reliability in automotive use. With a power dissipation of 33W, this transistor is capable of handling high-power applications with ease. Its MSL 1 - Unlimited rating and absence of SVHC (Substances of Very High Concern) make it suitable for a wide range of manufacturing environments

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer Infineon Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TDSON-8
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V Id - Continuous Drain Current 20 A
Rds On - Drain-Source Resistance 21 mOhms, 21 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 16 V, + 16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V Qg - Gate Charge 20 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 33 W Channel Mode Enhancement
Qualification AEC-Q101 Tradename OptiMOS
Series OptiMOS-T2 Brand Infineon Technologies
Configuration Dual Fall Time 10 ns, 10 ns
Height 1.27 mm Length 5.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 1.5 ns, 1.5 ns
Factory Pack Quantity 5000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 18 ns, 18 ns
Typical Turn-On Delay Time 5 ns, 5 ns Width 5.15 mm
Part # Aliases IPG20N06S4L-26 SP000705588 Unit Weight 0.003527 oz

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