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IRGP6690DPBF

N-Channel 600V 140A Power Transistor

在庫：3,961

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概要 IRGP6690DPBF

Engineered for reliability, the IRGP6690DPBF features a low on-state voltage drop, ensuring efficient high power switching. Its thermal resistance of 0.41°C/W permits effective heat dissipation, guaranteeing consistent operation in demanding environments. Additionally, this lead-free and RoHS compliant device adheres to environmentally friendly standards, making it a versatile choice for various applications

主な特長

  • Low VCE(ON) and Switching Losses
  • Optimized Diode for Full Bridge Hard Switch Converters
  • Square RBSOA and Maximum Temperature of 175°C
  • 5µs Short Circuit
  • Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient
  • Lead-free, RoHS compliant
  • Benefits
  • High Efficiency in a Wide Range of Applications
  • Optimized for Welding and H Bridge Converters
  • Improved Reliability due to Rugged Hard Switching
  • Performance and High Power Capability
  • Enables Short Circuit Protection Operation
  • Excellent Current Sharing in Parallel Operation
  • Environmentally friendly

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-247AC-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Continuous Collector Current at 25 C 140 A
Pd - Power Dissipation 483 W Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Brand Infineon Technologies
Continuous Collector Current Ic Max 140 A Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Height 20.7 mm Length 15.87 mm
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 400
Subcategory IGBTs Width 5.31 mm
Part # Aliases SP001533082 Unit Weight 0.197534 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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