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IXA55I1200HJ

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 84A 290000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 Tube

在庫：5,535

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概要 IXA55I1200HJ

When it comes to high-power applications, the IXA55I1200HJ power module from IXYS is the ultimate choice. With a voltage rating of 1200V and a current rating of 55A, this dual IGBT power module delivers exceptional performance and efficiency. Its compact and lightweight design makes it easy to integrate into a wide range of systems, while its rugged construction ensures reliable operation in harsh environments. With built-in temperature sensors and overvoltage protection, the IXA55I1200HJ power module provides the safety and reliability you need for your most demanding applications

応用

POWER CONTROL

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer LITTELFUSE INC Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Samacsys Manufacturer LITTELFUSE
Case Connection ISOLATED Collector Current-Max (IC) 84 A
Collector-Emitter Voltage-Max 1200 V Configuration SINGLE
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5 V Gate-Emitter Voltage-Max 20 V
JESD-30 Code R-PSIP-T3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -40 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style IN-LINE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 290 W Reference Standard IEC-60747
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application POWER CONTROL Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 350 ns Turn-on Time-Nom (ton) 110 ns
VCEsat-Max 2.1 V

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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