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IXA70R1200NA

High Gain Bipolar MOS Transistor Integrated in High Voltage IGBT Module

在庫:8,202

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概要 IXA70R1200NA

The IXA70R1200NA IGBT module is a powerhouse when it comes to industrial and automotive applications. With its high performance capabilities, compact design, and low stray inductance, this module is a game-changer in the world of power electronics. Its built-in fast-switching diode sets it apart from the competition, ensuring reliable and efficient power conversion every time

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series XPT™ Package Tube
Product Status Active IGBT Type PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V Current - Collector (Ic) (Max) 100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Power - Max 350 W
Switching Energy 4.5mJ (on), 5.5mJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 190 nC Td (on/off) @ 25°C 70ns/250ns
Test Condition 600V, 50A, 15Ohm, 15V Mounting Type Chassis Mount
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC Supplier Device Package SOT-227B
Base Product Number IXA70R1200

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