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IXFH15N100

15 Amps 1000V MOSFET with 0.7 Rds

在庫:6,026

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概要 IXFH15N100

With its low gate charge and excellent ruggedness, the IXFH15N100 N-Channel HiPerFET™ Standard series Power MOSFET is a versatile option for both hard switching and resonant mode applications. The fast intrinsic diode further enhances its performance, making it the go-to choice for industrial applications. Available in isolated types and other standard industrial packages, this series is designed to meet the demands of various industrial needs

主な特長

  • Rapid Thermal Recovery Capability
  • Fast Current Response Time
  • Low Forward Voltage Drop
  • High Surge Current Capability

応用

  • Durable and dependable
  • Cutting-edge technology
  • Optimal performance

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series HiPerFET™ Package Tube
Product Status Obsolete FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH) Package / Case TO-247-3
Base Product Number IXFH15

保証と返品

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