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IXFH69N30P

Power MOSFET rated for 69 Amps and 300V

在庫：7,591

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概要 IXFH69N30P

Introducing the cutting-edge IXFH69N30P Polar™ HiPerFETs, designed to revolutionize the world of power electronics. With a faster body diode, a reduced reverse recovery time, and optimized for phase-shift bridges motor control and UPS applications, these FETs are the ultimate solution for high-performance systems. Featuring the lowest RDS(on), low thermal resistance, low gate charge, and enhanced DV/DT capability, the IXFH69N30P is the pinnacle of efficiency and reliability in the industry

主な特長

  • High Current Handling
  • Fault Tolerant Design
  • Space Efficient
  • Operating Temperature

応用

  • Reliable battery backup
  • Advanced motor control
  • Innovative power supplies

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 300 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.049
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 69 Gate Charge (nC) 156
Input Capacitance, CISS (pF) 4960 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.25
Configuration Single Package Type TO-247
Typical Reverse Recovery Time (ns) 100 Power Dissipation (W) 500
Maximum Reverse Recovery (ns) 200 Sample Request Yes
Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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