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IXFH80N10Q

MOSFET with a voltage rating of 100V and a current rating of 80A

在庫：6,683

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概要 IXFH80N10Q

As a part of the Q-Class series, the IXFH80N10Q Power MOSFET is known for its exceptional reliability and durability. With a focus on delivering low gate charge and excellent ruggedness, this device is capable of handling demanding applications with ease. Its fast intrinsic diode adds to its overall efficiency, making it a popular choice for industrial packages requiring high performance components

主な特長

  • High-reliability epoxy encapsulation for mechanical robustness
  • Silicon gate structure with improved reliability and noise immunity
  • Rated for 1500V maximum DC voltage rating
  • Fast turn-off capability with low dv/dt and di/dt

応用

  • Quick response time
  • Efficient power delivery
  • Advanced technology

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series HiPerFET™ Package Tube
Product Status Obsolete FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 40A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH) Package / Case TO-247-3
Base Product Number IXFH80

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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