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IXFH94N30P3

MOSFET N-Channel: Power MOSFET featuring Fast Diode

在庫:9,110

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概要 IXFH94N30P3

Unveil the exceptional IXFH94N30P3 from our renowned PolarP3™ HiPerFET™ product family, offering unmatched performance in the 300V to 600V range. With an exceptional Figure of Merit (FOM) resulting from the multiplication of Qg and RDS(on), this semiconductor device surpasses traditional super junction technologies. Enjoy remarkable enhancements with the IXFH94N30P3, including up to a 12 percent reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent decrease in gate charge (Qg), and an impressive 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). By implementing advanced chip design optimizations, we have achieved lower thermal resistances and improved power density, setting new benchmarks for efficiency and performance in electronic components. Elevate your projects with the exceptional capabilities of the IXFH94N30P3

主な特長

  • Compact and reliable
  • Low noise operation
  • Wide operating range

応用

  • Powerful DC converters
  • Renewable energy integration
  • Industrial automation solutions

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 300 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.036
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 94 Gate Charge (nC) 102
Input Capacitance, CISS (pF) 5510 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.12
Configuration Single Package Type TO-247
Power Dissipation (W) 1040 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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