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IXFK27N80Q

High power handling capability of 500W at 4.5V

数量 単価(USD) 合計金額
1 $8.914 $8.91
10 $8.783 $87.83
25 $8.558 $213.95
100 $8.360 $836.00

在庫：7,684

*価格は参考値です。
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概要 IXFK27N80Q

Known for its exceptional performance, the IXFK27N80Q Power MOSFET is a popular choice among engineers for its reliable operation in both hard switching and resonant mode applications. Its low gate charge and superior ruggedness set it apart from other MOSFETs on the market, ensuring efficient and durable performance. Equipped with a fast intrinsic diode, this device offers added convenience and reliability for various industrial needs. Available in isolated types and other standard industrial packages, the IXFK27N80Q is a versatile solution for a wide range of electronic applications

主な特長

  • Secure Cryptographic Processing
  • Low Power Consumption Mode
  • Flexible Operating Frequency Range

応用

  • Efficient power solution
  • Compact and reliable
  • Versatile applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series HiPerFET™, Q Class Package Tube
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK) Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number IXFK27

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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