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IXFK48N50

N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET with 0.1ohm

在庫：6,018

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概要 IXFK48N50

Unveiling the capabilities of product IXFK48N50 within the esteemed N-Channel HiPerFET™ Standard series, users are presented with a diverse array of Power MOSFETs uniquely crafted for different usage scenarios. Designed to excel in tasks involving hard switching or resonant mode operations, these HiPerFET™ MOSFETs excel with their low gate charge, robust durability, and a rapid intrinsic diode. The series caters to industrial settings by offering a plethora of standard packages, including isolated varieties, for heightened versatility. By selecting the IXFK48N50 product, individuals can expect top-tier performance and efficiency, making it an ideal choice for a multitude of power MOSFET applications

主な特長

  • Internal EMI Filter
  • Power Cycling Capability
  • Low Thermal Resistance
  • High Temperature Operation

応用

  • Streamlined installation process
  • Advanced power technology
  • Flexible usage options

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 500 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.1
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 48 Gate Charge (nC) 270
Input Capacitance, CISS (pF) 8400 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.24
Configuration Single Package Type TO-264
Power Dissipation (W) 521 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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