IXFN80N50Q2
Discrete semiconductor module rated for 80 Amps and 500V with 0.06 Rds
在庫：5,893
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : IXFN80N50Q2
-
パッケージ/ケース : SOT-227-4
-
Brand : IXYS
-
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
-
日付シート : IXFN80N50Q2 データシート (PDF)
概要 IXFN80N50Q2
N-Channel 500 V 72A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
主な特長
- Double metal process for low gate resistance
- miniBLOC, with Aluminium nitride isolation
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low package inductance
- Fast intrinsic Rectifier
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Series | HiPerFET™, Q2 Class | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 72A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 500mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12800 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 890W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227B | Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Base Product Number | IXFN80 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
IXFH88N30P
TO-247AD packaged N-type MOSFET capable of handling up to 300 volts and 88 amperes of current
IXTX200N10L2
High-power N-channel MOSFET with 3-pin configuration and isolated tab
IXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3 is a power MOSFET designed for N-channel operation
IXFM50N20
200-volt, 50-ampere MOSFET
IXTM24N50
3-pin TO-204AE Silicon MOSFET in N-channel configuration with maximum ratings of 500V and 24A
IXFR24N50Q
MOSFET IXFR24N50Q featuring 22 Amps, 500V, and a low Rds of 0.23
IXA45IF1200HB
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 78A 325W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
IXBH16N170
IGBT Transistors with a voltage rating of 1700V and a current handling capacity of 25A
IXBH9N160G
TO-247-3 IGBTs meeting ROHS standards
IXBH42N170
1700V Single IGBT Discrete Diode, TO247 BIMOSFET, 42A
2SK1317-E
Ideal for use in switching circuits that require high performance
2SD768K
This NPN epitaxial transistor features a high current capability
TN0604N3-G
N-Channel MOSFET operating in enhancement mode, suitable for 40V with 0.75 Ohm resistance
AOT472
Describing AOT472, it is an N-channel semiconductor characterized by a voltage tolerance of 75 volts
MJD243T4G
00v npn 4a 2 pin
2SA1941-O
2SA1941-O Transistor
PMGD290UCEAX
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.725A/0.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
DMP4015SK3Q-13
MOSFET with a breakdown voltage (BVDSS) ranging from 31V to 40V
DTA114EUAT106
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin UMT T/R
NTD3055L170G
75-Tube Packaging