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IXFQ50N50P3

Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P

在庫：5,676

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概要 IXFQ50N50P3

Discover the cutting-edge capabilities of product IXFQ50N50P3, the newest addition to our PolarP3™ HiPerFET™ product family. As part of the benchmark high-performance Polar-Series product line, this product offers a high Figure of Merit (FOM) resulting from the multiplication of Qg and in RDS(on), providing a superior alternative to traditional super junction technologies. Noteworthy features include a 12 percent reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg), and an outstanding increase of up to 20 percent in maximum power dissipation (Pd). The reduction in chip thicknesses has also contributed to lower thermal resistances, enhancing the overall power density of the device. With a focus on high performance and efficiency, the IXFQ50N50P3 promises to deliver exceptional value and performance for our customers

主な特長

  • Safe operating area
  • Overcurrent protection
  • Fault detection circuitry
  • Short-circuit protection
  • Rugged design

応用

  • Compact DC-DC converters
  • Remote power monitoring
  • Automated servo control

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer IXYS Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-3P-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V Id - Continuous Drain Current 50 A
Rds On - Drain-Source Resistance 125 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V Qg - Gate Charge 85 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 960 W Channel Mode Enhancement
Tradename HiPerFET Series IXFQ50N50
Brand IXYS Configuration Single
Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 30
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Unit Weight 0.056438 oz

保証と返品

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