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IXFT50N60P3

N-Channel MOSFET with 600V voltage rating and 50A current rating in TO-268 package

在庫：5,542

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概要 IXFT50N60P3

Additionally, the TO-268 package of the IXFT50N60P3 provides excellent thermal performance and makes mounting the transistor a breeze. Its high di/dt capability enables fast switching speeds, reducing switching losses and improving overall performance. This advanced technology ensures not only reliable operation but also long-term stability, even in harsh environments

主な特長

  • The IXFT50N60P3 is optimized for efficiency and performance
  • A high current rating of 50A enables reliable operation
  • A low on-state resistance of 0.09 ohms reduces energy losses

応用

  • High-efficiency power conversion
  • Fast switching for electronic devices
  • Power MOSFET for inverters

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 600 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.16
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 50 Gate Charge (nC) 94
Input Capacitance, CISS (pF) 6300 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.12
Configuration Single Package Type TO-268S
Power Dissipation (W) 1040 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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