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IXFX26N120P

Plus247 HiperFET THT N-Channel 26A 1200V MOSFET Discrete

数量 単価(USD) 合計金額
1 $71.101 $71.10
210 $28.369 $5,957.49
510 $27.421 $13,984.71
990 $26.953 $26,683.47

在庫：8,992

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概要 IXFX26N120P

The IXFX26N120P is a game-changer in the realm of power electronics, offering unmatched performance and reliability for demanding applications. As part of the Polar™ HiPerFETs family, these semiconductor devices are specifically engineered for phase-shift bridges, motor control systems, and uninterruptible power supplies (UPS) that require fast switching speeds and superior efficiency. The standout feature of the IXFX26N120P is its fast body diode with reduced reverse recovery time (trr), ensuring optimal performance in high-power scenarios. With low RDS(on), minimal thermal resistance (RthJC), low gate charge (Qg), and enhanced DV/DT capability, this HiPerFETs product is the top choice for engineers looking to boost the performance of their power electronics designs

主な特長

  • Faster Switching Time
  • Reduced EMI
  • Simplified PCB Design

応用

  • Efficient energy conversion
  • Flexible power management
  • Robust power electronics

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series HiPerFET™, Polar Package Tube
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 13A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PLUS247™-3 Package / Case TO-247-3 Variant
Base Product Number IXFX26

保証と返品

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