IXGA30N120B3
Semiconductor device IGBT Chip for power applications with a maximum power dissipation of 300W
在庫：9,361
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部品番号 : IXGA30N120B3
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パッケージ/ケース : TO-263-3
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ブランド : IXYS
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コンポーネントの分類 : Single IGBTs
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日付シート : IXGA30N120B3 データシート (PDF)
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Series : IXGA30N120
概要 IXGA30N120B3
IXGA30N120B3's GenX3™ IGBTs are manufactured using our reliable HDMOS process, which enables the creation of punch-through (PT) devices. This technology allows for higher surge current capabilities, lower saturation voltage, and reduced energy losses – making them comparable to most rugged power MOSFETs
主な特長
- Fast switching speed
- Low power consumption
- High reliability guaranteed
応用
- Efficient power handling
- Compact size
- Easy integration
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Series | GenX3™ | Package | Tube |
| Product Status | Active | IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 300 W | Switching Energy | 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) |
| Input Type | Standard | Gate Charge | 87 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/127ns | Test Condition | 960V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Supplier Device Package | TO-263AA |
| Base Product Number | IXGA30 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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