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IXGK60N60B2D1

IXGK60N60B2D1: Insulated Gate Bipolar Transistor with 75A IC and 600V VCES, N-Channel, TO-264AA Package, 3-Pin Configuration

在庫:6,705

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概要 IXGK60N60B2D1

IGBT PT 600 V 75 A 500 W Through Hole TO-264 (IXGK)

主な特長

  • Square RBSOA
  • High current handling capability
  • MOS Gate turn-on for drive simplicity
  • Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) with soft recovery and low IRM

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series HiPerFAST™ Package Tube
Product Status Obsolete IGBT Type PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V Current - Collector (Ic) (Max) 75 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 300 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
Power - Max 500 W Switching Energy 1mJ (off)
Input Type Standard Gate Charge 170 nC
Td (on/off) @ 25°C 28ns/160ns Test Condition 400V, 50A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 35 ns Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device Package TO-264 (IXGK) Base Product Number IXGK60

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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