• packageimg
packageimg

IXFN180N25T

With its SOT-227B package, the IXFN180N25T offers robust thermal performance and reliability, ensuring efficient operation in demanding environments

数量 単価(USD) 合計金額
1 $19.589 $19.59
200 $7.582 $1,516.40
500 $7.315 $3,657.50
1000 $7.184 $7,184.00

在庫：7,641

*価格は参考値です。
  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください IXFN180N25T このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 IXFN180N25T

The IXFN180N25T is a top-of-the-line Trench Gate Power MOSFET designed for low voltage and high current applications. With an impressively low RDS(on), this MOSFET ensures minimal power dissipation, making it a cost-effective and energy-efficient solution. Its wide operating junction temperature range of -40 °C to 175 °C further enhances its versatility, making it ideal for use in demanding environments such as automobile applications

主な特長

  • Easy Mounting Solutions
  • Space-Saving Package
  • Low RDS(on) Feature
  • High Current Handling Capability

応用

  • Innovative UPS design
  • Precision AC drives
  • High-performance DC chopper

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 250 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.0129
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 168 Gate Charge (nC) 364
Input Capacitance, CISS (pF) 23800 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.138
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 900 Maximum Reverse Recovery (ns) 200
Sample Request No Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。