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IXGX120N60B

Transistors equipped with Insulated Gate Bipolar Technology, offering 76 Amps and 600V with a 2.1 Rds specification

在庫：5,467

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概要 IXGX120N60B

The IXGX120N60B GenX3™ IGBT from the robust HDMOS IGBT process is a game-changer in the power semiconductor industry. Offering a wide range of current options and switching capabilities up to 150 kHz, this IGBT is the ideal choice for power designers looking for high performance in switching applications. The 600V GenX3™ IGBTs are designed for high current applications that demand soft-switching frequencies over 200 kHz and hard-switching frequencies of 40 kHz. With Punch-Through technology, these devices deliver superior surge current capabilities, lower saturation voltage, and reduced energy losses, making them a top choice in high voltage switching applications. The 1200V GenX3™ IGBTs take it a step further with advanced Punch-Through technology, providing lower saturation voltages, lower switching losses, and higher surge current capabilities. With three sub-classes to choose from, designers have the flexibility to select the best option for their specific system requirements, balancing switching frequency, efficiency, and cost effectively

主な特長

  • Suitable for DC-DC converters and motor drives
  • Excellent thermal resistance and operating temperature range
  • Fully RoHS compliant for environmental safety

応用

  • Power converters
  • Battery backups
  • Motor starters

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Phase Out/Obsolete VCES - Collector-Emitter Voltage (V) 600
Collector Current @ 25 ℃ (A) 200 VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 2.1
Fall Time [Inductive Load] (ns) 160 Configuration Single
Package Type TO-247 PLUS Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W) 0.19
Collector Current @ 90 ℃ (A) 120 Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ) 5.5
Replaced By Part Number IXGX120N60B3

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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