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IXTA130N10T

TO-263 N-Channel MOSFET rated for 100V and 130A

数量 単価(USD) 合計金額
1 $2.654 $2.65
200 $1.027 $205.40
500 $0.991 $495.50
1000 $0.973 $973.00

在庫：5,128

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概要 IXTA130N10T

The IXTA130N10T Trench Gate Power MOSFETs are designed for low voltage/high current applications, offering an exceptionally low RDS(on) and minimal power dissipation. With a wide operating junction temperature range of -40 °C to 175 °C, these MOSFETs are well-suited for demanding applications in harsh environments, including automotive use. Whether you need reliable power management in your vehicle or are working on another project with similar requirements, these MOSFETs deliver the performance and durability you need. Trust in the IXTA130N10T for your power management needs

主な特長

  • Fine Pitch Technology
  • Compact Design Options
  • Robust Pinouts
  • Easy Thermal Management

応用

  • Advanced Power Electronics
  • Industrial Power Systems
  • Smart Energy Management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 100 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.0091
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 130 Gate Charge (nC) 104
Input Capacitance, CISS (pF) 5080 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.42
Configuration Single Package Type TO-263
Typical Reverse Recovery Time (ns) 67 Power Dissipation (W) 360
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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