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IXTA26P20P

MOSFET capable of handling 26.0 Amps with a voltage rating of 200V and Rds of 0.170

在庫：7,681

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概要 IXTA26P20P

The IXTA26P20P Polar™ P-Channel MOSFET is designed with our advanced Polar technology platform, boasting a 30% reduction in on-state resistance (RDSon) and a 40% decrease in gate charge (Qg) when compared to traditional models. This optimization translates to lower conduction loss and exceptional switching performance, making it an ideal choice for high-efficiency applications. Additionally, these MOSFETs are engineered to withstand dynamic dv/dt and avalanche conditions, ensuring reliability in challenging operational settings. With a positive temperature coefficient for on-state resistance, these devices can be easily paralleled for increased power handling capabilities

主な特長

  • Enhanced security protocols
  • High-speed processing
  • Rapid recovery from faults
  • Advanced analytics capabilities

応用

  • Robust load regulation
  • Low distortion output
  • Flexible power management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) -200 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.17
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) -26 Gate Charge (nC) 56
Input Capacitance, CISS (pF) 2740 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.42
Configuration Single Package Type TO-263
Typical Reverse Recovery Time (ns) 240 Power Dissipation (W) 300
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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