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IXTA60N20T

Unipolar N-MOSFET transistor suitable for applications requiring high voltage (200V) and current (60A) handling, with a fast switching time of 118ns

数量 単価(USD) 合計金額
1 $12.342 $12.34
200 $4.926 $985.20
500 $4.761 $2,380.50
1000 $4.679 $4,679.00

在庫：7,593

*価格は参考値です。
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概要 IXTA60N20T

Built to meet the demands of low voltage and high current applications, the IXTA60N20T Trench Gate Power MOSFETs stand out for their extremely low RDS(on) and consequent minimal power dissipation. These MOSFETs are designed to excel in harsh conditions, with an operating junction temperature range of -40 °C to 175 °C, making them well-suited for use in automotive and other demanding environments

主な特長

  • Rapid Heat Dissipation
  • Achieves Low Noise Levels
  • Fully Compliant with Safety Standards

応用

  • LED Lighting Drivers
  • Servo Motor Controllers
  • Wind Turbine Generators

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 200 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.04
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 60 Gate Charge (nC) 73
Input Capacitance, CISS (pF) 4530 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.3
Configuration Single Package Type TO-263
Typical Reverse Recovery Time (ns) 118 Power Dissipation (W) 500
Sample Request No Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。