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IXTP182N055T

High-Current MOSFET

在庫：6,383

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概要 IXTP182N055T

The IXTP182N055T Trench Gate Power MOSFET is a top choice for low voltage and high current applications due to its ultra-low RDS(ON) value, resulting in minimal power loss. With a wide operating temperature range from -40 °C to 175 °C, this MOSFET is perfectly suited for challenging environments like those found in the automotive industry. Its superior performance and reliability make it an excellent option for demanding applications where efficiency and durability are essential

主な特長

  • Robust Construction
  • High Surge Immunity
  • Excellent Moisture Resistance
  • Low Power Consumption

応用

  • Customized power solutions
  • Smart DC converters
  • Long-lasting battery chargers

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series TrenchMV™ Package Tube
Product Status Obsolete FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 182A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4850 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3 Package / Case TO-220-3
Base Product Number IXTP182

保証と返品

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