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IXTP8N50P

N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET

在庫：8,902

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概要 IXTP8N50P

N-Channel 500 V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3

主な特長

  • International standard packages
  • Unclamped Inductive Switching (UIS)
  • rated
  • Low package inductance
  • - easy to drive and to protect

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series PolarHV™ Package Tube
Product Status Obsolete FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3 Package / Case TO-220-3
Base Product Number IXTP8

保証と返品

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