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IXXH110N65C4

880W 234A 650V PT Through-hole TO-247AD IGBTs ROHS

在庫：8,041

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概要 IXXH110N65C4

The IXXH110N65C4 power transistor is a game-changer in the realm of power electronics, offering unmatched performance and efficiency for a variety of applications. Boasting a VDS of 650 volts, an ID of 110 amperes, and an RDS(on) of 75 milliohms, this transistor is tailor-made for high-power tasks where minimizing conduction losses is crucial. Leveraging Infineon Technologies' innovative CoolMOS™ C4 series technology, the IXXH110N65C4 excels in thermal management and overall performance, delivering exceptional results even in the most demanding conditions. Its low switching and conduction losses not only enhance energy efficiency but also reduce heat dissipation, ensuring long-term reliability and optimal operation

主な特長

  • High current rating of 110A with low on-state voltage drop
  • This IGBT features fast switching and low power losses
  • N-Channel technology ensures efficient power conversion

応用

  • High efficiency
  • Low maintenance
  • Long lifespan

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active VCES - Collector-Emitter Voltage (V) 650
Collector Current @ 25 ℃ (A) 235 VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 2.35
Fall Time [Inductive Load] (ns) 35 Configuration Single
Package Type TO-247 Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W) 0.17
Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ) 0.9 Collector Current @ 110 ℃ (A) 110

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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