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IXYP10N65C3D1

High Performance 650V IGBT Chip

在庫：7,196

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概要 IXYP10N65C3D1

For high-frequency power switching requirements, look no further than the IXYP10N65C3D1 N-channel MOSFET transistor. With its superior performance characteristics and durable design, this transistor is a top choice for demanding applications in power electronics. Its innovative features, such as low on-state resistance and fast switching speed, make it ideal for achieving high efficiency and reliability in power inverters, motor control circuits, and more. Trust in the IXYP10N65C3D1 to deliver exceptional performance and meet your power switching needs with ease

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V
Series Planar Brand IXYS
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 50
Subcategory IGBTs Tradename XPT, GenX3

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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