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MTW32N20EG

Electronic component, power field-effect transistor, 200 volts, 32 amperes, three-pin TO-247 casing

在庫:5,525

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概要 MTW32N20EG

Featuring a cutting-edge design, the MTW32N20EG Power MOSFET is built to deliver exceptional performance under high energy conditions. Its energy efficient design includes a drain-to-source diode with rapid recovery time, making it an excellent choice for low voltage, high speed switching applications. Whether used in power supplies, converters, or PWM motor controls, this MOSFET is designed to excel in demanding environments. Moreover, its suitability for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are crucial, provides users with added peace of mind against unexpected voltage spikes

主な特長

  • High-Speed Data Transfer Capability
  • Wide Operating Temperature Range Specified
  • Surface-Mount Technology for Increased Flexibility
  • Low Distortion and Low Jitter Performance Guaranteed
  • Backward Compatibility with Previous Generations
  • ECC and Parity Error Detection Available

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Obsolete Compliance PbAHP
Package Type TO-247-3 Case Outline 340K-01
MSL Type NA MSL Temp (°C) 0
Container Type TUBE Container Qty. 30
ON Target N Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 200
VGS Max (V) 20 VGS(th) Max (V) 4
ID Max (A) 32 PD Max (W) 180
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 75 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 85
Ciss Typ (pF) 3600 Pricing ($/Unit) Price N/A

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

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