NGTB05N60R2DT4G
NGTB05N60R2DT4G is a high-performance N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) chip
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 1 | $0.810 | $0.81 |
| 10 | $0.681 | $6.81 |
| 30 | $0.614 | $18.42 |
| 100 | $0.550 | $55.00 |
| 500 | $0.510 | $255.00 |
| 1000 | $0.490 | $490.00 |
在庫：9,682
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部品番号 : NGTB05N60R2DT4G
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パッケージ/ケース : DPAK-3
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Brand : Onsemi
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Components Classification : Single IGBTs
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日付シート : NGTB05N60R2DT4G データシート (PDF)
概要 NGTB05N60R2DT4G
IGBT
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | DPAK-3 |
| Mounting Style | SMD/SMT | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.65 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 16 A |
| Pd - Power Dissipation | 56 W | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Brand | onsemi | Continuous Collector Current Ic Max | 8 A |
| Gate-Emitter Leakage Current | +/- 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | IGBTs |
| Unit Weight | 0.012346 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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