• SI2302CDS-T1-GE3 SOT23-3
SI2302CDS-T1-GE3 SOT23-3

SI2302CDS-T1-GE3

SOT-23-packaged N-channel MOSFET capable of handling 20 volts and a current of 2.6 amps, identified as SI2302CDS-T1-GE3

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概要 SI2302CDS-T1-GE3

Vishay's SI2302CDS-T1-GE3 Mosfet is a robust N Channel transistor with a low On resistance of 0.045Ohm and a maximum Drain Source Voltage of 20V. This surface mount device boasts a Continuous Drain Current of 2.9A and a Power Dissipation of 710mW, making it suitable for demanding applications. It is important to note that this product does not comply with RoHS standards

主な特長

  • TrenchFET® power MOSFET

    • 応用

    ["Load Switching for Portable Devices ", "DC/DC Converter"]

    仕様

    以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style SMD/SMT
    Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
    Id - Continuous Drain Current 2.9 A Rds On - Drain-Source Resistance 57 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 850 mV
    Qg - Gate Charge 3.5 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 860 mW
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
    Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
    Configuration Single Fall Time 7 ns
    Height 1.45 mm Length 2.9 mm
    Product Type MOSFET Rise Time 7 ns
    Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
    Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 30 ns
    Typical Turn-On Delay Time 8 ns Width 1.6 mm
    Part # Aliases SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-GE3 Unit Weight 0.000282 oz

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