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SKW07N120

SKW07N120 ROHS compliant IGBTs with a power rating of 125W

数量 単価(USD) 合計金額
1 $10.132 $10.13
200 $3.921 $784.20
500 $3.783 $1,891.50
1000 $3.715 $3,715.00

在庫:6,289

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概要 SKW07N120

The SKW07N120 power MOSFET transistor is a versatile solution for high voltage and high-speed switching applications. With its 1200V drain-source voltage rating, it is well-suited for demanding tasks such as power supplies, motor control, and inverters. The 7A continuous drain current rating and low 1.2 ohm on-resistance ensure efficient power conversion, making it an attractive choice for power electronic designs

主な特長

  • Direct copper bonded Al2O3 ceramic substrate
  • Low switching losses
  • High thermal conductivity
  • Easy to install and maintain

応用

  • Lighting fixtures
  • Welding tools
  • Switching devices

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-247-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series SKW07N120 Brand Infineon Technologies
Continuous Collector Current Ic Max 16.5 A Height 20.95 mm
Length 15.9 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 240 Subcategory IGBTs
Width 5.3 mm Part # Aliases SKW07N120XK SP000012569 SKW07N120FKSA1
Unit Weight 1.340411 oz

保証と返品

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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