• packageimg
packageimg

SI3493DDV-T1-GE3

P-Channel 20 V MOSFET

在庫:7,085

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください SI3493DDV-T1-GE3 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 SI3493DDV-T1-GE3

P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

主な特長

  • Enhanced voltage capability
  • Reduced losses
  • Improved reliability

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TSOP-6
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V Id - Continuous Drain Current 8 A
Rds On - Drain-Source Resistance 20 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 52.2 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 3.6 W Channel Mode Enhancement
Brand Vishay / Siliconix Configuration Single
Fall Time 40 ns Forward Transconductance - Min 30 S
Product Type MOSFET Rise Time 20 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 115 ns
Typical Turn-On Delay Time 8 ns Unit Weight 0.000705 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。