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IXTK90P20P

This MOSFET, designated as IXTK90P20P, offers a maximum current capacity of 90

在庫：7,202

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概要 IXTK90P20P

Offering unparalleled efficiency and robustness, the IXTK90P20P Polar™ P-Channel MOSFET leverages innovative Polar technology to enhance its on-state resistance and gate charge characteristics. By reducing RDSon by 30% and Qg by 40% compared to traditional options, this MOSFET delivers optimal performance with minimized conduction loss and superior switching efficiency. Its dynamic dv/dt and avalanche ratings further contribute to its ruggedness, making it a dependable choice for challenging applications. With a positive temperature coefficient for on-state resistance, the MOSFET allows for easy paralleling, offering versatility and scalability in various circuit configurations

主な特長

  • Ultra-fast switching times
  • High surge immunity
  • Robust package design
  • Easy thermal monitoring

応用

  • Secure high-side switching
  • Versatile charger applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) -200 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.044
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) -90 Gate Charge (nC) 205
Input Capacitance, CISS (pF) 12000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.14
Configuration Single Package Type TO-264
Typical Reverse Recovery Time (ns) 315 Power Dissipation (W) 890
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

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Low on-resistance of 25 mOhm
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NVMFS5C426NWFAFT1G: N-channel MOSFET, capable of handling 40 volts, 235 amperes, with a resistance of 1.3 milliohms
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39 package with through hole mounting