• packageimg
packageimg

STW12N120K5

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

数量 単価(USD) 合計金額
1 $9.599 $9.60
10 $8.762 $87.62
30 $7.313 $219.39
100 $6.050 $605.00

在庫：4,881

*価格は参考値です。
  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください STW12N120K5 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 STW12N120K5

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

主な特長

  • Worldwide best FOM (figure of merit)
  • Ultra-low gate charge
  • 100% avalanche tested
  • Zener-protected

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STW12N120K5 Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Part Package Code TO-247
Package Description ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 Pin Count 3
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 1200 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 12 A
Drain Current-Max (ID) 12 A Drain-source On Resistance-Max 0.69 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-247
JESD-30 Code R-PSFM-T3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 250 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 48 A
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

MTD5P06VT4G

MTD5P06VT4G

High-performance P-channel MOSFET Transistor by ON Semiconductor
MCH3474-TL-W

MCH3474-TL-W

Single N-Channel Power MOSFETs in a 3000-piece reel, featuring a 30V rating, 4A current capability, and 50mΩ resistance
BUK7575-100A

BUK7575-100A

TO-220AB plastic package with 3 pins
IXFB210N30P3

IXFB210N30P3

Industrial-grade N-channel transistor
IRF740SPBF

IRF740SPBF

VISHAY - IRF740SPBF. - Power MOSFET, N Channel, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
2N5401G

2N5401G

PNP silicon small-signal transistor, 600 mA, 150 V, TO-92 package
BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1

150 V 19 mOhm 23 nC Single N-Channel OptiMOS Power Mosfet TDSON-8
IRFB4615PBF

IRFB4615PBF

Transistor MOSFET N-channel with 150V, 35A in TO-220AB packaging tube
IRG4PH30K

IRG4PH30K

IRG4PH30K Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) rated at 20A and 1200V in TO247 package
ECH8668-TL-H

ECH8668-TL-H

Dual Power MOSFET with Complementary Pairing for 20V