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STW24N60DM2

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

数量 単価(USD) 合計金額
1 $2.935 $2.94
10 $2.575 $25.75
30 $2.361 $70.83
100 $2.145 $214.50
500 $2.046 $1,023.00
1000 $2.001 $2,001.00

在庫:8,244

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概要 STW24N60DM2

Elevate your power management solutions with the STW24N60DM2, a groundbreaking Power MOSFET that combines advanced FDmesh II Plus™ technology with a fast-recovery body diode. Engineered using MDmesh II Plus™ low Qg technology, this MOSFET delivers unparalleled on-resistance and gate charge characteristics, making it an ideal fit for high efficiency converters. Whether used in bridge topologies or ZVS phase-shift converters, the STW24N60DM2 promises superior performance and reliability in demanding applications

主な特長

  • Improved thermal resistance and junction temperature rating
  • Low output capacitance and charge
  • Robust design against electrical overstress
  • Avalanche-tested for reliable performance

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STW24N60DM2 Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 52 Weeks
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics Avalanche Energy Rating (Eas) 180 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain Current-Max (ID) 18 A Drain-source On Resistance-Max 0.2 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-247
JESD-30 Code R-PSFM-T3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 72 A Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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