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BSC010NE2LS

High power 8-pin TDSON EP package MOSFET

数量 単価(USD) 合計金額
1 $1.673 $1.67
10 $1.464 $14.64
30 $1.335 $40.05
100 $1.200 $120.00
500 $1.140 $570.00
1000 $1.114 $1,114.00

在庫:3,783

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概要 BSC010NE2LS

Designed for automotive and industrial applications, the BSC010NE2LS is a silicon N-channel power MOSFET offering exceptional performance within the Infineon OptiMOS power MOSFET family. Boasting a 100V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 140A, it is well-suited for high-power applications where efficiency is crucial. Its ultra-low on-state resistance of 1.0mΩ plays a significant role in minimizing power losses and enhancing the efficiency of power conversion systems

主な特長

  • Optimized for Synchronous Rectification
  • 35% lower RDS(on) than alternative devices
  • 45% improvement of FOM over similar devices
  • Integrated Schottky-like diode
  • RoHS compliant - halogen free
  • MSL1 rated
  • Benefits
  • Highest system efficiency
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • System cost reduction
  • Very low voltage overshoot

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid BSC010NE2LS Pbfree Code Yes
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG Package Description SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Pin Count 8 Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Samacsys Manufacturer Infineon
Avalanche Energy Rating (Eas) 190 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 25 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 100 A Drain Current-Max (ID) 40 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0013 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F5 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 5 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 96 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish TIN Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

保証と返品

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    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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