BSC011N03LSIATMA1
Low Voltage Trench MOSFET
在庫：8,641
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : BSC011N03LSIATMA1
-
パッケージ/ケース : TDSON-8
-
ブランド : INFINEON
-
コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
-
日付シート : BSC011N03LSIATMA1 データシート (PDF)
-
Series : BSC011N03LSI
概要 BSC011N03LSIATMA1
N-Channel 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | MS, RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | SuperSO8 | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | R42 | productClassification | COM |
| productStatusInfo | active and preferred | hfgr | A |
| packageName | PG-TDSON-8 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP000884574 |
| fourBlockPackageName | PG-TDSON-8-7 | rohsCompliant | yes |
| opn | BSC011N03LSIATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP000884574 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
BSP315PH6327XTSA1
X7R 10% Soft Term Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0805 0.022uF 250volt
BSC0702LS
This MOSFET has a low on-state resistance of 2.3mΩ at 10V, 50A and a threshold voltage of 2.3V at 49uA
BSM50GP60
High-power transistor for demanding applications
BSC010N04LS6ATMA1
BSC010N04LS6ATMA1 Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
BSC010N04LSATMA1
High-performance MOSFET featuring an N-type channel
BSC010N04LSIATMA1
N-channel MOSFET transistor designed for switching applications with a maximum voltage rating of 40V and current handling capacity of 37A
BSC010NE2LSATMA1
BSC010NE2LSATMA1 is a high-power N-channel MOSFET transistor with 8 pins in a TDSON EP package, capable of handling up to 39A of current at 25V
BSC011N03LSATMA1
OptiMOS Power Mosfet with low on-resistance and high conduction capability
BSC014N04LSIATMA1
BSC014N04LSIATMA1 - Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Surface Mount":
BSC014N06NSATMA1
High-power TDSON-8 MOSFET with N-channel 60V 100A
NSS1C301ET4G
Surface Mount NPN Bipolar Transistor with 100V Voltage Rating
FZT851TA
FZT851TA is a medium power NPN transistor with a 60V voltage rating and a 6A current rating
STG3P3M25N60
Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 19-Pin SEMITOP 3 Box
BLP10H610AZ
MOSFETs ROHS 10W HVSON-12(5x6)
IPTG007N06NM5ATMA1
N-Channel 60V 53A High-Speed Operational Gate Transistor
SI7998DP-T1-GE3
30-Voltage Dual N-Channel MOSFET (Drain-to-Source)
BUK6D56-60EX
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
IRFAE50
Hermetically sealed power MOSFET in MIL-PRF-19500 packaging
BC80725MTF
8A I(C), 45V V(BR)CEO, pnp epitaxial silicon transistor, 1-element
IRLIZ34NPBF
Ideal for various electronic applications requiring high power handling and switching capabilities