BSC090N03MSGATMA1

Name: BSC090N03MSGATMA1
Brand: Infineon
Rating: 4.5 (10 reviews)

High voltage, high current device perfect for industrial automation, smart grid infrastructure, and renewable energy system

在庫：6,215

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N-Channel 30 V 12A (Ta), 48A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TDSON-8
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	48 A
Rds On - Drain-Source Resistance	7.5 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Qg - Gate Charge	24 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	32 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS	Series	OptiMOS 3M
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	5.4 ns	Forward Transconductance - Min	28 S
Height	1.27 mm	Length	5.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	5 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	8.8 ns
Typical Turn-On Delay Time	9 ns	Width	5.15 mm
Part # Aliases	BSC090N03MS G SP000313120	Unit Weight	0.004358 oz

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