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BSZ0803LSATMA1

High-performance power MOSFET for audio application

在庫:7,149

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概要 BSZ0803LSATMA1

N-Channel 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer Infineon Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TSDSON-8
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V Id - Continuous Drain Current 40 A
Rds On - Drain-Source Resistance 16 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.7 V Qg - Gate Charge 15 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 52 W Channel Mode Enhancement
Brand Infineon Technologies Fall Time 3.2 ns
Forward Transconductance - Min 18 S Product Type MOSFET
Rise Time 3.2 ns Factory Pack Quantity 5000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 14.3 ns Typical Turn-On Delay Time 4.7 ns
Part # Aliases BSZ0803LS SP001614108 Unit Weight 0.001367 oz

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