BSZ086P03NS3GATMA1

Name: BSZ086P03NS3GATMA1
Brand: Infineon
Rating: 4.5 (10 reviews)

ROHS-compliant P-channel MOSFET, part number BSZ086P03NS3GATMA1, designed for 30V operation with low resistance characteristics

在庫：7,989

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P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TSDSON-8
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	40 A
Rds On - Drain-Source Resistance	6.5 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.1 V	Qg - Gate Charge	57.5 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	69 W	Channel Mode	Enhancement
Series	BSZ086P03	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Fall Time	8 ns
Forward Transconductance - Min	30 S	Height	1.1 mm
Length	3.3 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	46 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	35 ns	Typical Turn-On Delay Time	16 ns
Width	3.3 mm	Part # Aliases	BSZ086P03NS3 G SP000473024
Unit Weight	0.001367 oz

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