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FDB52N20TM

D2PAK transistor with N-MOSFET technology, unipolar operation, and a power rating of 357W

在庫:9,744

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概要 FDB52N20TM

Designed with advanced planar stripe and DMOS technology, the FDB52N20TM UniFET™ MOSFET is a high voltage device that excels in reducing on-state resistance and enhancing switching performance. This MOSFET also boasts higher avalanche energy strength, making it an ideal choice for a variety of power converter applications. From power factor correction (PFC) to flat panel display (FPD) TV power supplies, ATX units, and electronic lamp ballasts, the FDB52N20TM MOSFET delivers reliable and efficient performance. With its tailored design and innovative features, this device is well-suited for demanding voltage regulation and power management tasks

主な特長

  • High voltage rating ( Max. 500V)
  • Low gate capacitance ( Typ. 100pF)
  • High surge current capability ( Typ. 3kA)
  • High reliability tested

応用

  • Perfect for all your needs.
  • Great for any project.
  • Suitable for every occasion.

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active Compliance PbAHP
Package Type D2PAK-3 / TO-263-2 Case Outline 418AJ
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 245
Container Type REEL Container Qty. 800
ON Target Y Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 200
VGS Max (V) ±30 VGS(th) Max (V) 5
ID Max (A) 52 PD Max (W) 357
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 49 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 49
Ciss Typ (pF) 2230 Pricing ($/Unit) $1.1254Sample

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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