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FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.456 $0.46
10 $0.400 $4.00
30 $0.372 $11.16
100 $0.343 $34.30
500 $0.327 $163.50
1000 $0.319 $319.00

在庫：5,776

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概要 FDMB3900AN

The FDMB3900AN N-Channel Logic Level MOSFETs stand out for their advanced PowerTrench® technology, which sets them apart from traditional MOSFETs by providing enhanced on-state resistance and superior switching performance. Whether used in automotive systems, consumer electronics, or industrial machinery, these MOSFETs offer a reliable solution for boosting efficiency and optimizing power management

主な特長

  • High precision timing
  • Low power standby mode
  • Compact module design

応用

  • Electronic Devices

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series FDMB3900AN Product Status Obsolete
Technology Si Configuration Dual
FET Feature Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 13V Power - Max 800mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Package / Case MicroFET-8 Supplier Device Package 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Base Product Number FDMB3900 Manufacturer onsemi
Product Category MOSFET RoHS Details
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 25 V
Id - Continuous Drain Current 7 A Rds On - Drain-Source Resistance 23 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge 17 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.6 W
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Brand onsemi / Fairchild Height 0.8 mm
Length 3 mm Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 N-Channel Width 1.9 mm
Unit Weight 0.002363 oz

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RUE003N02TL

RUE003N02TL

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.3A I(D), 20V
2N7002NXBKR

2N7002NXBKR

ROHS compliant and suitable for various electronic applications
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

This MOSFET is an N-channel type suitable for high-power applications
IRFS4615TRLPBF

IRFS4615TRLPBF

IRFS4615TRLPBF - 150V 33A 42mOhm MOSFET with 26nC Qg
CM150DU-24NFH

CM150DU-24NFH

Ideal for industrial and commercial use
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
SSM6N7002KFU,LF

SSM6N7002KFU,LF

MOSFET designed for ESD protection in small-signal applications
IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF

N-channel Power MOSFET, rated for 60 volts and 99 amps, packaged in a 3-pin DPAK format for tape and reel assembly
SI9942DY

SI9942DY

Power MOSFET with a voltage rating of 20V and current ratings of 3A and 2.5A
SPW21N50C3

SPW21N50C3

N-Channel Silicon Transistor