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FDME820NZT

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin MicroFET T/R

在庫：6,550

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概要 FDME820NZT

The FDME820NZT MOSFET is engineered to deliver superior results, thanks to the advanced Power Trench process used in its design. Its optimized rDS(ON) @ VGS = 1.8V ensures efficient power management, while the special MicroFET leadframe adds robustness to its performance in a wide range of applications

主な特長

  • Fully programmable threshold voltage
  • Fast response time and recovery
  • Excellent noise immunity

応用

  • For all your needs.
  • Perfect for any task.
  • Suitable for various uses.

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series FDME820NZT Product Status Active
FET Type N-Channel Technology Si
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 865 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package MicroFet 1.6x1.6 Thin
Package / Case UMLP-6 Manufacturer onsemi
Product Category MOSFET RoHS Details
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 9 A Rds On - Drain-Source Resistance 18 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 500 mV
Qg - Gate Charge 8 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.1 W
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Height 0.55 mm Length 1.6 mm
Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 5000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Width 1.6 mm Unit Weight 0.000889 oz

保証と返品

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