• HGTG20N60A4 TO-247-3
HGTG20N60A4 TO-247-3

HGTG20N60A4

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V, SMPS

数量 単価(USD) 合計金額
1 $7.492 $7.49
10 $6.619 $66.19
30 $6.088 $182.64
100 $5.410 $541.00

在庫：7,501

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概要 HGTG20N60A4

With its advanced design and innovative technology, the HGTG20N60A4 is a high-performance IGBT that delivers exceptional efficiency and reliability in high voltage switching applications. By leveraging the strengths of both MOSFET and bipolar transistor technologies, this semiconductor device offers superior conduction characteristics and high input impedance, making it an ideal solution for applications that demand minimal power losses and high frequency operation. Whether in UPS systems, welding machines, or induction heating equipment, the HGTG20N60A4 excels in fast switching scenarios, providing the performance and durability required for demanding industrial environments

主な特長

  • High-speed processing
  • Real-time control capability
  • Maintenance-free design

応用

  • Solar power systems
  • Electric vehicle charging
  • Battery protection circuits

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors Technology Si
Package / Case TO-247-3 Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 70 A Pd - Power Dissipation 290 W
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series HGTG20N60A4 Brand onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current 70 A Continuous Collector Current Ic Max 70 A
Gate-Emitter Leakage Current +/- 250 nA Height 20.82 mm
Length 15.87 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 450 Subcategory IGBTs
Width 4.82 mm Part # Aliases HGTG20N60A4_NL
Unit Weight 0.225401 oz

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