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SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 73A TO-247AC

在庫：9,811

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概要 SIHG73N60E-GE3

The SIHG73N60E-GE3 features a maximum gate-source voltage (Vgs) of 30V, making it compatible with a wide range of control systems and driving circuits. With 3 pins and MSL 1- Unlimited moisture sensitivity level, this MOSFET is easy to integrate into existing circuit designs and manufacturing processes. Whether used in industrial, automotive, or renewable energy applications, the SIHG73N60E-GE3 offers high performance and reliability

主な特長

  • This product has a maximum drain-source voltage
  • Of 600V and continuous drain current of 73A
  • Lovely low on-resistance, only 0.085 ohms
  • Suitable for high-power applications like power supplies

応用

  • SIHG73N60E-GE3: Ideal for lighting control
  • Power up your applications with SIHG73N60E-GE3

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V Id - Continuous Drain Current 73 A
Rds On - Drain-Source Resistance 39 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V Qg - Gate Charge 241 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 520 W Channel Mode Enhancement
Series E Brand Vishay / Siliconix
Configuration Single Fall Time 120 ns
Height 20.82 mm Length 15.87 mm
Product Type MOSFET Rise Time 105 ns
Factory Pack Quantity 500 Subcategory MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time 290 ns Typical Turn-On Delay Time 63 ns
Width 5.31 mm Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

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