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IPG20N04S4L08ATMA1

N-channel MOSFET: 40V, 20A, TDSON-8 package, OptiMOS-T2

在庫:9,153

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概要 IPG20N04S4L08ATMA1

The Infineon Technologies IPG20N04S4L08ATMA1 power MOSFET transistor represents a cutting-edge solution for various high-power applications. Boasting a 40V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 70A, this MOSFET offers dependable performance and efficiency. Its advanced trench semiconductor technology enhances switching speeds, thermal efficiency, and reliability, while the low on-resistance of 5.9mΩ reduces power losses. The compact TO-220 package with a lead (Pb)-free design ensures environmental friendliness and compliance with RoHS regulations, making it a top choice for energy-efficient designs

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series OptiMOS-T2 Product Status Active
Technology Si Configuration Dual
FET Feature Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 22µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 25V Power - Max 54W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Grade Automotive
Qualification AEC-Q101 Mounting Type Surface Mount
Package / Case TDSON-8 Supplier Device Package PG-TDSON-8-4
Base Product Number IPG20N Manufacturer Infineon
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V Id - Continuous Drain Current 20 A
Rds On - Drain-Source Resistance 7.2 mOhms, 7.2 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 16 V, + 16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V Qg - Gate Charge 39 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 54 W Channel Mode Enhancement
Tradename OptiMOS Brand Infineon Technologies
Fall Time 20 ns, 20 ns Height 1.27 mm
Length 5.9 mm Product Type MOSFET
Rise Time 3 ns, 3 ns Factory Pack Quantity 5000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 40 ns, 40 ns Typical Turn-On Delay Time 7 ns, 7 ns
Width 5.15 mm Part # Aliases IPG20N04S4L-08 SP000705576
Unit Weight 0.003415 oz

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