IXFN73N30
045ohm silicon metal-oxide semiconductor FET
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
1 | $50.491 | $50.49 |
200 | $20.147 | $4,029.40 |
500 | $19.473 | $9,736.50 |
1000 | $19.141 | $19,141.00 |
在庫:6,948
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部品番号 : IXFN73N30
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パッケージ/ケース : SOT227-4
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ブランド : IXYS
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コンポーネントのカテゴリ : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : IXFN73N30 データシート (PDF)
概要 IXFN73N30
The N-Channel HiPerFET™ Standard series, exemplified by product IXFN73N30, is tailored for a multitude of Power MOSFET applications, from hard switching to resonant mode. Designed with a keen focus on efficiency and reliability, these MOSFETs boast low gate charge and exceptional ruggedness, complemented by a swift intrinsic diode. With a variety of standard industrial packages available, including isolated variants, this series caters to the diverse needs of modern technological systems
主な特長
- Low Cross Conduction
- Excellent Thermal Performance
- Pulse Test Capable
応用
- Quick installation process
- User-friendly interface
- Energy-efficient operation
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Drain-Source Voltage (V) | 300 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.045 |
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 73 | Gate Charge (nC) | 360 |
Input Capacitance, CISS (pF) | 9000 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.25 |
Configuration | Single | Package Type | SOT-227 |
Power Dissipation (W) | 500 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 200 |
Sample Request | No |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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IXFN82N60Q3 is a power MOSFET designed for N-channel operation
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600V/100Amp XPT IGBT C3-Class IGBT Transistors CoPacked
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Low on-resistance of 0.02ohm