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IXFH12N90

High-Voltage MOSFET, 12 Amperes, Low Resistance

在庫：6,261

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概要 IXFH12N90

For those in search of a reliable Power MOSFET for their industrial applications, the N-Channel HiPerFET™ Standard series offers an excellent solution with product IXFH12N90. This MOSFET is designed to meet the demands of hard switching and resonant mode applications, featuring low gate charge, exceptional ruggedness, and a fast intrinsic diode. Available in various standard industrial packages, including isolated types, this series provides versatility and performance

主な特長

  • Advanced Package Design
  • Low Inductance Construction
  • Fast Diode Turn-On
  • Absorbed Voltage Transient

応用

  • Seamless power delivery
  • Customizable configurations
  • Sealed housing design

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 900 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.9
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 12 Gate Charge (nC) 123
Input Capacitance, CISS (pF) 4200 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.42
Configuration Single Package Type TO-247
Power Dissipation (W) 298 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

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