IXFH14N100Q2

Name: IXFH14N100Q2
Brand: Ixys Integrated Circuits Division
Rating: 4.5 (10 reviews)

IXFH14N100Q2 - MOSFET with 14 Amps and 1000V, featuring 0.90 Rds

数量	単価(USD)	合計金額
1	$36.767	$36.77
210	$14.670	$3,080.70
510	$14.181	$7,232.31
990	$13.938	$13,798.62

在庫：6,047

*価格は参考値です。

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部品番号 : IXFH14N100Q2
パッケージ/ケース : TO247-3
Brand : IXYS
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : IXFH14N100Q2 データシート (PDF)
Series : IXFH14N100

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概要 IXFH14N100Q2

The IXFH14N100Q2 transistor is housed in a TO-247 plastic package, offering convenient installation and superior heat dissipation capabilities. The 3-pin configuration allows for easy connection in circuit designs

主な特長

International standard packages
Low RDS (on) HDMOSTM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic Rectifier

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1 kV
Id - Continuous Drain Current	14 A	Rds On - Drain-Source Resistance	900 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	500 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	HiPerFET
Series	IXFH14N100	Brand	IXYS
Configuration	Single	Fall Time	12 ns
Height	21.46 mm	Length	16.26 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	28 ns
Typical Turn-On Delay Time	12 ns	Width	5.3 mm
Unit Weight	0.211644 oz

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